报告人：黄兵教授，北京计算科学研究中心，中国工程物理研究院

报告时间：2025年12月17日（周三）上午10:00

报告地点：知新楼7楼量子报告厅

邀请人：崔彬副研究员

外场下半导体中的物态调控

黄兵

北京计算科学研究中心，中国工程物理研究院

摘要： 半导体的实际应用在很大程度上取决于其在外场作用下的响应与调控特性。为此，我们系统研究了外场环境下半导体在结构层面与电子结构层面的物态演化规律。首先，系统探索了半导体中复杂缺陷的形成机制、表/界面缺陷的动力学行为，以及辐射外场条件下缺陷的演化过程，揭示了缺陷行为从平衡态向极端非平衡态的根本转变，为极端环境下半导体器件的服役可靠性设计与加固提供了理论依据，部分成果被应用于国防器件改性。其次，我们构建了外场调控下从无相互作用电子激发到相互作用电子集体激发，再到自旋演化的物理图像，阐明了光电转换与传输、等离激元及拓扑自旋结构中的物理机制，为新型半导体器件的设计开辟了新思路。

黄兵，北京计算科学研究中心教授、材料研究部主任，北京师范大学物理学院双聘教授。其主要研究方向为计算凝聚态物理与半导体物理，致力于将基础研究成果应用于国防器件改性和加固设计，曾入选国家青年人才和领军人才计划。黄兵教授于2005年获吉林大学物理学学士学位，2010年获清华大学物理学博士学位，导师为段文晖教授，同年赴美国再生能源国家实验室及犹他大学从事博士后研究。2015年加入中物院北京计算科学研究中心，历任助理教授、副教授，至教授及研究部主任。迄今，发表学术论文160篇，包括以第一/通信（含共同）作者在包括Nature (1)、Nature子刊 (9)、PNAS/PRL/PRX (19)、Phys. Rev. B/Appl.系列(32)等。作为首席科学家或者项目负责人，曾主持JKW、国家国防科工局和基金委的重点类项目。