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    高真空磁控溅射台

    负责人:叶丽娜

    1. 设备基本构造形式:该设备系是涡轮分子泵+机械泵抽气的单室高真空全不锈钢系统。主真空室下底盘上安装ф50三支磁控靶。真空室上盖上安装样品转盘,样品转盘由水冷和加热炉两套组成,二者不能同时兼用,只能交替使用(系统需要暴露空气,更换转盘)。水冷转盘下方可放置六片ф40样品,每片样品均可在计算机控制下制备多层膜,镀完膜的样品可手动公转换位。加热转盘只携挂一片样品, 做周向±180°转动。在计算机控制下制备多层膜。除大法兰密封口、转盘转动密封及磁控除大法兰盖和磁控靶靶头采用氟胶圈密封外,其余均按超高真空要求设计,采用无氧铜圈金属密封。

    2. 真空系统采用FB600涡轮分子泵+2XZ-8机械泵抽气;真空室经24小时连续烘烤后,其极限真空≤6.6 10-5pa;系统从大气开始抽气,在≤30分钟内,其真空度≤6.6 10-4pa;停泵关机12小时后,系统真空度≤5pa,其真空度采用DL-9复合真空计测量。

    3. Ф50、水冷、RF和DC兼容磁控靶三支,均有各自的电动挡板。

    4. 样品尺寸Ф40、分水冷和加热炉转盘、二者更换交替使用。在样品下加装挡板。样品加热温度400±1°(加热炉做周向±80°回转)。

    5. 电源采用RF射频电源N=500W f=13.5MHZ一台;DC直流稳流电源N=500W 1A 500V 两台。

    6. 进气系统采用两路MFC质量流量计控制。另一路用手动进气阀直接进气。

    7. 实验过程中系统的复位功能、确认靶位功能、溅射镀膜时间控制功能、回转控制功能均由计算机控制。

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